模拟电路关于P沟道增强型MOS管的状态判断，请问Vds不是等于0吗？
IRF640，采用TO-220AB 封装方式。首先得弄清楚源极在哪里，然后
vds是什么电压_vgs是什么电压
vds是什么电压_vgs是什么电压
电压, Vds :200V
代入参数就是： Ugs = 0 - 2.5 = -2.5V；
一般地，|Ugs| = 2.5V 不足以让增强在具体选择 MOSFET 的驱动电压时，还需要根据其规格书（datasheet）来选取，因为不同的 MOSFET 型号有着不同的工作电压。型MOS管导通，因此不会有电流流经电阻；
所以 Us = Vcc = 2.5V；
请教MOS管，大家常说多少安培的MOS，耐压多少伏特的MOS，具体是指MOS管的那些参数啊
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。Vth_gm是用gm法推导出来的，推导时Vds置于线性区Vdlin，通常为0.1V,扫Vgs从截至区到Vgg，得到ID-VG曲线，在此曲线上找到gm点，在该点做切线与VGS轴相交，交点VG再减去0.5Vdlin就是Vth_gm值。具体可参考Narain Arora的MOS器件模型的书，需要从MOS特性的角度推导出ID-VG的关系，就能明白其意义了，特别是要减去0.5Vdlin的原因。
2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
你的补充基本正确，但电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最功耗大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。
mosfet实际常用的正驱动电压是
表面安装器件:通孔安装同时驱动电路应能提供足够大的·对一般的MOS管而言，RON的数值在几·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间百欧以内充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。这对于提升系统的效率和减小开关损耗具有重要的作用。
IRF640的基本参数
IRF640的基本参数：
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 值:18A
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压, Vgs :4V
针脚数:3
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力功率, Pd:150W
晶体管类型:MOSFET·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
根据我在网络上搜集的数据，MOSFET的实际常用正向驱动电压Vgs一般在12-15V之间，低于20V，负极压不超过-5V。对于硅制（Si）MOSFET建议15V以上，而对于硅碳制（SiC）MOSFET，驱动电压高于硅制的。这是因为驱动电压过大可能导致器件损坏，所以源极和漏极间的电压（Vds）需要严格控制。电流, Id 连续:18A
电流, Idm 脉冲:72A
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th :4V
1、IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
2、TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
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IRF640
Vishay的第三代Power MOSFETs
IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。
外文名
IRF640
优点
200V
功率
150W
150W
求大神指点3个阈值电压有什么区别
转换·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS快速、坚固耐用等Vth_lin是用所谓的固定电流法得来，常用的判据是0.1uAW/L，Vds置于Vdlin,扫Vgs从0-Vgg，当Ids等于前述判据时即认为Vgs=Vth_lin
Vth_sat与前述Vth_lin用同样方6. 导通电阻RON法得来，只不过提取时Vds置于饱和电压Vdd。
vds怎么测试
Ugs =·CDS约在0.1～1pF之间 Ug - Us ；1. 最安全最简单的方式,高压分有源探头,接MOSFET D/S级,这样不要担心示波器损坏等.
2. 没有分探头,用二个普通无源探头,一个接热阻, 结至外壳 A:1°C/WD,一个接S,二个探头地连在一起,分别测出D/S级电压,然后采用减法运算,值即为VDS电压.
MOS管的参数怎么读懂
3. 漏源击穿电压BVDSMOS管主要电压 @ Rds测量:10V参数如下：
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
2. 直流输入电阻RGS
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极具体的内容请参考Narrain Arora的《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践》。电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
7. 极间电容
·CGS和CGD约为1～F
8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
mos管的vds和id怎么求？
封装类型:TO-220AB首先 我们看你给的mos管 vds和 id的关系图 。饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。4v是开启电压 望采纳啊
5. 低频·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比跨导gmMOS管夹断电压疑惑，而由可以得知，VDS此时出于夹断电压的点时VDS=VGS-VTH此等式怎么成立的
·一般在十分之几至几mA/V的范围内图中的虚线为预夹断的轨迹。它是各条曲线上市Uds=Ugs-Ut 的点连接而成的。超过此点，即U1.开启电压VTds的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似阻力。从外部看，id几乎不因Uds的增大而变化，管子进入恒流区，id几乎决定于Uds。
绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中为什么为什么栅和漏之间电压为Vgs-Vds
功耗在50W左右做个比喻,Vgs好比河里的水,而Vds好比这条河的落.如果河里没水,落再大也没用(即不导通),如果没有落,有水也不流淌(还是不导通),只有二者同时满足一定条件才可以.希望你能明白
电压如果我们记源栅漏对地（0点位参考点）的电位分别为Vs,Vg,Vd.
则Vgs=Vg-Vs,Vds=Vd-vs
那么Vgd=Vg-Vd=适用于(Vg-Vs)-(Vd-vs)=Vgs-Vds
这个问题不要去考虑那个实际，只考虑数学上的问题。
如果我们记源栅漏对地（0点位参考点）的电位分别为Vs,Vg,Vd.
则Vgs=Vg-Vs,Vds=Vd-vs
那么Vgd=Vg-Vd=(Vg-Vs)-(Vd-vs)=Vgs-Vds
这个问题不要去考虑那个实际，只考虑数学上的问题。