大家好我是小篇，30n40场效应管参数，关于30n50场效应管参数很多人还不知道，那么现在让我们一起来看看吧！
1、AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId（Vgs=10v情况下） 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号：AO3400封装：SOT-23电性参数：5.8A 30V漏源电压（Vds）：30v栅源电压 (Vgs)：±12v连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A功率损耗（PD 25℃）：1.4W功率损耗（PD 70℃）：0.9W结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃。
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