拉扎维模拟cmos集成电路设计 拉扎维模拟cmos第2版

莫娜号 1

复旦大学微电子学与固体物理学考研初试及复试科目

和毕查德.拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》偏理论方向,里面有很多经典电路的分析,为电路设计提供理论基础

你可以到复旦大学研究生院的网站上查询,里面有研究生招生简章、招生专业目录、和书目。然后在招生专业目录里找到对应的科目,每一个对应的学科里都能看到要考的科目1.2 MOS场效应晶体管(理想特性和二级效应),科目有代码,根据代码找到对应的数目就可以了。

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拉扎维模拟cmos集成电路设计 拉扎维模拟cmos第2版


④《Digital Integrated Circuits: A Design Perspective》,Jan M. Rabaey著,英文翻印《数字集成电路设计》,清华大学出版社,1999年

报考复旦大学微电子研究生考哪几门课,求解,了解的回答,务必详细

1、ASIC基本概念

英语、、数学一、专业课:(881)电子线路与集成电路设计

工艺方向考半导体器件原理,复旦的课本是:①《双极型与MOS半导体器件原理》黄均鼐等,复旦大学出版社②《半导体器件物理基础》(第1、2、3、5章)曾树荣,大学出版社设计方向考电子线路及集成电路设计,复旦教材是:①《数字逻辑基础》,陈光梦编,复旦大学出版社②《模拟电子学基础》,陈光梦编,复旦大学出版社。或者《模拟电子技术基础》(第三版),童诗白编,高等教育出版社③《专用集成电路设计方法》,复旦大学微电子学系自编讲义④《Digital

复旦大学2005年入学研究生《 电子线路与集成电路设计 》专业课程考试大纲

本复习大纲是为了便于考生对《 电子线路与集成电路设计 》课程进行复习而制定。大纲提供了一些参考书目录,考生可以根据自己的实际情况选择合适的参考书。

考试题型:问答题,分析计算题。

参考书:①童诗白等,模拟电子技术基础(第三版),高等教育出版社,2001年

②谢嘉奎等,电子线路线性部分(第四版),高等教育出版社,1999年

总分:50分

一、电路分析 (③的章 或 其他电路分析教材)

基本电路定律与定理:

掌握基尔霍夫电压与电流定律;等效电压源定律;等效电流源定律;叠加原理。

能够运用电压法求解线性电路网络。

能够写出线性电路网络的传递函数。

了解稳态分析和瞬态分析的基本概念。

掌握线性网络幅频特性、相频特性的基本概念。

能够利用波特(Bode)图进行频率特性分析。

二、半导体器件 (① 或 ②)

了解PN结的结构与原理,掌握PN结的伏安特性。

掌握半导体二极管的特性曲线和特性参数及其基本应用:整流、限幅、钳位。

双极型晶体管:

了解双极型晶体管的结构和放大原理;

掌握双极型晶体管的伏安特性;晶体管的基本模型,掌握双极型晶体管的交流小信号等效电路,并能计算其中的各个参数。

场效应晶体管:

掌握场效应晶体管的交流小信号等效电路,并能计算其中的各个参数。

三、基本放大电路 (① 或 ②)

放大电路的性能指标:

增益(放大倍数)、输入阻抗、输出阻抗,掌握它们的概念与计算方法。

分清直流通路与交流通路;

用近似估算法确定放大电路的直流工作点;

用小信号等效电路方法估算放大电路的性能指标:增益、输入阻抗、输出阻抗;

用图解法确定输出动态范围以及输出波形失真情况。

晶体管共基和共集放大电路:

了解上述两种电路的工作原理和电路特点;

能够简单估算上述两种放大电路的性能指标:增益、输入阻抗、输出阻抗;

了解三种接法的放大电路在频率特性方面的异同。

场效应管共源放大电路:

能够根据场效应晶体管的伏安特性确定放大电路的直流工作点;

用小信号等效电路方法估算放大电路的性能指标。

分放大电路:

熟悉分放大电路的工作原理和电路特点;

掌握分放大电路的性能指标估算方法。

互补输出电路:

熟悉互补输出电路的工作原理和电路特点;

了解互补输出电路中产生交越失真的原因以及消除方法。

多级放大电路:

掌握多级放大电路的增益、输入阻抗、输出阻抗的估算方法。

四、放大电路中的负反馈 (① 或 ②)

反馈的基本概念:

正确理解开环

正反馈与负反馈、直流反馈与交流反馈、电压反馈与电流反馈、串联反馈与并联反馈等概念;

能够正确运用瞬时极性法判断反馈的极性。

负反馈放大电路的组态:

正确判断四种不同的负反馈组态;

掌握四种不同负反馈组态的电路特点以及对电路性能产生的各种影响的异同;

能够根据需要在电路中引入合适的反馈形式。

深度负反馈放大电路的分析:

掌握深度负反馈放大电路的计算方法。

负反馈放大电路的自激振荡及消除方法:

了解负反馈放大电路自激振荡产生的原因,了解消除振荡的方法。

五、集成运算放大器及其应用基础 (① 或 ②)

模增益、共模增益、共模抑制比、输入失调、单位增益带宽、转换速率等。

基于集成运放构成的线性电路的基本分析方法:

掌握理想运放电路的基本分析方法:虚短路虚开路法;

能够写出用集成运放构成的线性电路的传递函数。

基于集成运放构成的典型应用电路分析:

基本运算电路分析;

电流源电路;

有源负载放大电路分析;

直接耦合的多级放大电路分析;

互补输出级电路分析;

集成运放电路的工作原理及分析方法。

RC振荡电路分析:振荡频率与起振条件;

基于集成运放与互补电路的功率放大电路分析;

集成运放构成的其他应用电路。

第二部分 数字电路

考试题型:问答题,分析计算题。

参考书:①陈光梦,数字逻辑基础,复旦大学出版社,2004年

②雍新生,集成数字电路的逻辑设计,复旦大学出版社,1987年

总分:50分

一、逻辑代数

掌握逻辑代数的基本运算、基本定理、基本定律、基本法则;

掌握各种形式的逻辑函数的相互转换方法:

掌握卡诺图化简方法;

掌握不完全确定的逻辑函数的化简方法;

掌握多输出逻辑函数的化简方法。

二、门电路组合逻辑电路 (① 或 ②)

掌握门电路的基本输入输出特性:

TTL门电路、CMOS门电路;

三态门、集电极(漏极)开路门。

掌握组合逻辑1.1 ASIC类型及特点电路的分析方法;

熟悉常用组合逻辑电路模块的结构和逻辑功能:

编码器和译码器;

运算电路;

数值比较器;

多路选择器;

基于门电路的设计;

基于常用组合逻辑电路模块的组合逻辑电路设计。

了解组合逻辑电路中的冒险现象及其消除方法。

三、触发器及时序逻辑电路

1. 触发器及其简单应用电路 (① 或 ②)

掌握触发器的四种基本类型及其状态的描写:

RS型、JK型、D型、T型。

掌握触发器的简单应用:

寄存器、行波计数器。

2. 同步时序电路的分析和设计 (② 与 ①)

了解时序电路的描述

方法:

两种时序电路的模型:Milly模型与Moore模型;

两种模型的异同;

两种模型的转换。

掌握同步时序电路的分析方法:

熟悉常用同步时序电路模块的结构和逻辑功能:

移位寄存器;

同步计数器。

掌握时序电路的状态化简方法:

完全描述状态表的化简;

掌握同步时序电路的设计过程:

基于触发器的同步时序电路设计(状态机设计);

带有冗余状态的状态机设计;

基于触发器的同步计数器设计;

基于计数器模块的同步计数器设计;

同步时序电路设计中的自启动问题。

3. 异步时序电路的分析和设计 (② 与 ①)

了解异步时序电路的两种类型:

基本型异步时序电路;

脉冲型异步时序电路。

掌握异步时序电路的分析方法。

了解基本型异步时序电路中的冒险、竞争现象及其消除方法:

临界竞争和非临界竞争的区别;

通过状态流程表寻找临界竞争的方法;

临界竞争的消除方法;

异步时序电路中的冒险现象。

四、阵列化逻辑电路 (②)

ROM的基本原理及其在组合逻辑中的应用。

PLA的基本原理及其在组合逻辑中的应用。

第三部分 集成电路设计

考试题型:问答题,分析计算题。

②Jan M. Rabaey,Digital Integrated Circuits,Prent Hall,1999年

③拉扎维著,模拟CMOS集成电路设计,西安交通大学出版社,2003年

总分:50分

一、模拟集成电路设计

2. MOS器件物理基本概念

3. 单级放大器分析

? 分析电路的增益、线性度、电压摆幅、功耗、输入/输出阻抗等。

? 共源级, 源跟随器, 共栅级, 共源共栅级。

4. 分放大器

? 基本的分对的分析

? MOS负载的分放大器

? CMOS分放大器

5. 单级放大器的频率响应

? 共源级,源跟随器,共栅级,共源共栅级,分放大器的频响分析

6. 偏置电路

? 基本电流源

? Cascode电流源、低电压Cascode电流源。

7. CMOS运放

? CMOS运放的性能参数

? 一级CMOS运放和Gain Boosting

? 二级CMOS运放:一般结构、输入范围、共模反馈、压摆率和频率补偿

二、数字集成电路设计

1 集成电路器件

1.1 PN二极管(理想特性和二级效应)

2 CMOS反相器

2.2 动态特性及参数

2.3 功耗特性

3.1 静态互补CMOS逻辑

3.2 比例CMOS逻辑(准NMOS结构)

3.3 传输晶体管逻辑

3.4 动态CMOS

4 CMOS时序逻辑

4.1 静态锁存器、寄存器

4.2 动态锁存器、寄存器

4.3 非双稳态时序电路

三、有关专用集成电路设计的基本知识

2、ASIC设计流程和设计方法

2.1 Top-Down和Bottom-Up设计流程

2.2 硬件描述语言及设计描述

2.3 设计方法

逻辑综合、行为级验证、动态和静态时序验证,版图验证和版图后仿真等

3.1 组合电路的测试方法

3.2 时序电路的测试方法

3.3 可测性设计

4、常用设计工具

模拟IC设计做什么

熟悉三种接法的放大电路性能指标的异同,能够在不同场合正确选择合适的电路;

当然是做模拟ic设计:设计各种模拟子模块,如运放,比较器,自举开关等等;再由他们构成较大的模块,如LDO,LNA,PLL等等。

参考书:①虞惠华等译,专用集成电路(第1、2、3、5章),电子工业出版社,2004年

学的时候就是学习全定制的电路设计,你可以看看拉扎维的模拟cmos集成电路设计。

这个恐怕有些难吧,如果你有技术背景或者基础的话还是可以试下。

用的软件都是仿真软件,比如sp,或者大一点的集成环境如Cadence的ic5141,ic610等等

微电子行业工艺转行做设计方便吗?该如何做啊??

多路分配器。

应该会很难,但是一切事在人一阶、二阶有源滤波器电路分析;为

3 CMOS组合逻辑

只要你有心,可以自己多投入一些精力。

我个人建议如果设计入门数字的相对简单一些,模拟的要求基础较难,

给你基本书籍,你也应该知道,但是感觉你还没有深入的了解。

拉扎维的《模拟集成电路设计》 Allen的不错

国外的那本《数字集成电路设计》入门不错

建议慎重考虑。

你说的是PE转做研发(类似于电子工程师这类) ?

复旦大学微电子学院考研参考书目都有哪些,有没有热心

晶体管共射放大电路:

当然有了,不过你这个问题太广泛了,微电子学院的好几个专业

1.3 ASIC技术现状和发展趋势

不过,根据研途保方面的考研信息知识了解到 微电子学与固体物理学专业初试参考书目:

01/03 专业集成电路设计、计算机辅助设计与测试 881电子线路及集成电路设计

①《数字逻辑基础》,陈光梦编,复旦大学出版社

②《模拟电子学基础》,陈光梦编,复旦大学出版社。或者《模拟电子技术基础》(第三版),童诗白编,高等教育出版社

③《专用集成电路设计方法》,复旦大学微电子学系自编讲义

④《Digital Integrated Circuits: A Design Pe掌握触发器类型的相互转换方法。rspective》,Jan M. Rabaey著,英文翻印《数字集成电路设计》,清华大学出版社,1999年

⑤《模拟CMOS集成电路设计》,拉扎维著,陈贵灿译,西安交通大学出版社2003年

②《半导体器件物理基础》(第1、2、3、5章)曾树荣,大学出版社

不知是否是你想要的哈

模拟电路中栅极源级漏极的工作原理是什么

利用逻辑代数和卡诺图对逻辑函数进行转换与化简:

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

部分 模拟电路

场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。

2.1 静态特性及参数

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

场效应管MOSFET

栅极(gate electrode)gate,门的意思,中文翻译做栅,栅栏。electrode,电极。

源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。

漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极。起发射作用的电极。

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

给你一本模拟集成电路的经典入门教材吧,拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》,或者去买本清华或者华科的模拟电子技术基础类的教材,后者简略和容易理解些。

求复旦大学近几年微电子工艺方向882考研真题

与、或、与非、或非、与或非、异或、同或。

集成电路工艺与器件:考试科目:①101思想理论②201英语一③301数学一④882半导体器件原理,参考真题参考博志复旦考研:

《双极型与MOS半导体器件原理》 黄均鼐 复旦大学出版社

《模拟CMOS集成电路设计》 拉扎维 西安交通大学出版社

《数字集成电路设计(影印版)》 拉贝 清华大学出版社

《模拟电子技术基础》 童诗白 高等教育出版社

《模拟电子学基础》 陈光3、ASIC测试方法梦 复旦大学出版社

《掌握组合逻辑电路的设计过程:数字逻辑基础》 陈光梦 复旦大学出版社

学好微电子技术这个专业,要学好哪些知识,几本书,关于其必备的知识。

掌握场效应晶体管的结构和工作原理,分清6种类型场在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。效应管的区别;

量子力学,材料物理,半导体器件原理,半导体工艺,等等等~~~~

有一个叫S.M.S882的参考书:ze写的 Physics of Semiconductor devs 非常好,必备哈~!!

请问复旦微电子考那些课程呀?学长学姐们帮帮忙吧

线性电路的一般分析方法:

看你考哪个方向了

熟悉集成运算放大器的性能参数:

In02/04集成电路工艺与器件 882半导体器件原理tegrated

Circuits:

Perspective》,Jan

M.

Rabaey著,英文翻印《数字集成电路设计》,清华大学出版社,1999年⑤《模拟CMOS集成电路设计》,拉扎维著,陈贵灿译,西安交通大学出版社2003年

模拟IC设计入门一般看什么书

? 和电源无关的, 和温③蓝鸿翔,电子线路基础,教育出版社,1981年度无关的偏置电路

一般看Phillip.E.Allen著的《CMOS模拟集状态转换表和状态转换图、时序图。成电路设计》这本书重实践,里面有二级运放的详细设计过程,包括管子的参数大小设计

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